CSA、CASA“紫外光电器件培训会”在扬州成功举办

行业资讯 · 2019-08-10 11:03:55

8月8日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办的“紫外光电器件培训会”在扬州会议中心成功举办,40余家单位代表参加了培训。CSA常务副秘书长阮军出席会议并致辞,与北京大学沈波教授、厦门大学康俊勇教授、南京大学陆海教授共同主持了本次培训会。




CSA常务副秘书长  阮军

CSA常务副秘书长阮军在致辞中表示,紫外光电器件作为半导体照明产业新的市场方向,具有广阔的应用前景。为行业了解紫外LED及探测器技术进展,培养掌握理论、实践综合知识的高素质复合人才,联盟组织邀请了紫外光电从外延、芯片、封装等领域的教授、专家开展此次培训会,感谢诸位专家老师能百忙之中安排时间授课,希望参与培训的学员能够充分抓住此次学习机会,与专家老师们深入交流,掌握先进技术同时,也为企业和产业贡献力量。



氮化物半导体在半导体照明、新一代移动通讯、新一代通用电源、雷达新能源汽车等领域有重大应用,对国家的产业升级、节能减排、国防安全具有战略意义。同时,氮化物半导体也是全球高技术竞争的关键领域之一,其中AlN和高Al组分AlGaN是固态和紫外发光不可替代的半导体材料。




北京大学 沈波教授

北京大学理学部副主任、宽禁带半导体中心副主任沈波教授分享《蓝宝石上AIN的外延生长和深紫外LED器件的研究》。报告中指出,由于异质外延和体系内部大失配、强极化的特性,AlN、高Al组分AlGaN及其量子结构的外延生长和DUV-LED研制依然面临一系列关键科学和技术问题,需要开展更为系统的研究。采用高温退火和“小合拢区NPSS侧向外延”方法制备出高质量AlN和高Al组分AlGaN外延层,AlN层XRD摇摆曲线半高宽为132(002)/140(102)arcsec,i-AlNGaN层(58%Al组分)为151(002)/235(102)arcsec;发光波长279nm,IQE超过80%。





厦门大学 康俊勇教授

厦门大学康俊勇教授分享《紫外LED发光机理和科学问题》主题报告。报告中首先介绍了半导体紫外光源优势,对LED发光机理及半导体/金属电极欧姆接触、注入效率、内量子效率、出光效率、效率下降、非平衡生长等科学要点问题进行了详细讲解。





华中科技大学 陈长清教授

发展深紫外LED产业意义重大,完全符合国家发展战略。华中科技大学陈长清教授分享《紫外LED技术及应用》主题报告。报告中指出,紫外光源市场中,传统汞灯正逐步被UV-LED取代,紫外UV-LED在光固化、光疗、杀菌消毒的领域已成为未来技术发展趋势。近紫外LED固化市场处于快速增长期,CAGR~23%,深紫外LED杀菌净化市场处于爆发性增长初期,CAGR~210%。近紫外LED技术较为成熟并发展迅速,已应用于喷绘、胶印、光纤、液晶等领域的光固化。实现芯片及光源系统的光、热和结构协同匹配优化成为工作重点。深紫外LED芯片性能仍需提高,制备高质量的AlGaN材料和提高芯片光提取效率将是未来深紫外LED的研究重点。




南京大学陆海教授

南京大学陆海教授详解《紫外光电探测器技术及应用》主题报告。首先从技术应用背景与需求,紫外探测器分类与基础知识,紫外探测器技术发展现状,面临的科学与技术问题详细展开。常规结构GaN基和SiC紫外探测器已经达到产业化水平,并在不断拓展新型应用;用于材料成熟度较高,SiC紫外单光子探测器已经可以实现较好的性能;宽禁带紫外单光子探测技术正向“成像阵列”方向发展。宽禁带光电探测器在EUV和软x射线探测领域可能有新进展。





华中科技大学 陈明祥教授

华中科技大学陈明祥教授介绍《紫外/深紫外LED封装技术》研究报告。他表示,紫外LED技术优势明显,已替代汞灯成为新一代紫外光源。浅紫外LED可采用白光 LED封装技术(材料/结构/工艺),主要应用于光固化、光催化、防伪等领域;深紫外LED必须采用全无机封装材料,气密封装、低温焊接,与提高光效是其技术关键;深紫外LED器件主要应用于杀菌/消毒,在流动空气与水体,净化领域前景广阔。可靠性和成本是影响深紫外LED器件应用的主要因素。





北京华创智道知识产权咨询服务公司副总裁禇战星

北京华创智道知识产权咨询服务公司副总裁禇战星分享了《UVLED专利技术分析》专题报告。全球专利快速增长,进入布局黄金时期。照明、消毒、医疗等应用是未来布局重点。美、日、韩进入中国步伐加快。他建议,就UVLED技术专利布局要做好产业知识产权风险应对工作,建立起产业知识产权主场优势,关注跟踪主要竞争对手全球布局,加强该产业专利全球布局。





东莞市国瓷新材料科技有限公司吴朝晖博士

东莞市国瓷新材料科技有限公司吴朝晖博士带来了《UVLED陶瓷封装基板及封装技术》主题报告。据了解,2022年全球UVLED市值将达到12.3亿美金,其中深紫外LED将达到9亿美元,对应的陶瓷基板市值约2亿美金,年复合增长率74%。未来深紫外封装技术朝向更高能量密度发展,并且深紫外LED市场面临消费者对其功能性、安全性、便利性和性价比四大因素的综合考量。




中国科学院半导体研究所魏学成研究员

中国科学院半导体研究所魏学成研究员分享了《紫外光电器件及应用标准综述》主题报告,从紫外光源器件技术与市场概况、紫外LED应用领域、紫外技术标准概况、UV LED标准体系四方面进行展开。他介绍,目前UV LED市场的主要应用还是固化(2018年市场规模约1.2亿美元,占比大约58%);从2021年开始,UVC LED性能逐渐提升,消毒净化的市场将崛起并逐渐取代固化应用的统治地位(预测2021年市场规模约2.4亿美元,占比大约56%)。深紫外LED面临晶体质量差、电注入效率低、极化效应、低的光提取效率技术瓶颈。


最后,CSA联盟常务副秘书长阮军做会议总结,他表示,非常感谢各位专家为本次培训会精心准备的培训课件,感谢各企业技术负责人、高校老师、学生报名参加、积极互动,不过本次活动时间安排还是比较紧张,今后联盟将会吸取经验,设置更多问答、互动环节,根据产业热点需求开展此类活动,为行业提供更好的学习、沟通、交流的平台,促进产业发展进步。最后再次感谢大家的参与和对联盟的支持,本次会议圆满完成。