CFAS20I

深紫外LED芯片
  • 产品特性:可靠性高、寿命长、环保节能,出光角度大 

  • 应用领域:杀菌消毒、医用光疗、光学传感器、生物分析/检测

1220 mil

尺寸

260~285 nm

波长

1~8 mW

光功率

40 mA

电流

AuSn电极

电极

倒装结构

芯片结构

  • 产品照片
  • 器件结构
  • 芯片长度 芯片宽度 GAP宽度 芯片厚度 芯片结构 电极
    510±30 μm 310±30 μm 150±5 μm 340±30 μm 倒装结构 AuSn电极
  • 光电特征参数
  • UVC光电参数和SPEC范围(@40mA,Ta = 25 ℃,RH=30%)

    Item Symbol Min. Typ. Max. Unit
    峰值波长 λp 260 / 285 nm
    光功率 P0 1 / 8 mW
    工作电压 Vf 5.0 / 7.5 V
    驱动电流 If / 40 / mA
    最大工作电流 Ifmax / / 120 mA
    最大反向偏压 Ifmax / / 0 mA
    波峰半高宽 Δλ / 11 / nm
    • 上述规格范围以BOB综合体育官网登录入口测量系统为准。测量系统的测量误差为:峰值波长(λp):±1nm;光功率(P0):±10%;工作电压(Vf):±0.1V。
    • 虽然所有的LED都是由BOB综合体育官网登录入口的设备进行测试,但根据测试设备的条件,某些值可能会略有不同。

    波长范围

    档位 W01W02W03
    波长 (nm) 260~270270~280280~285

    光功率范围

    档位 P01P03
    光功率 (mW) 1~33~6

    电压范围

    档位 V51V52V1BV1CV1D
    电压 (V) 5.0~5.55.5~6.06.0~6.16.1~6.26.2~6.3
    档位 V1EV1FV1GV1HV1I
    电压 (V) 6.3~6.46.4~6.56.5~6.66.6~6.76.7~6.8
    档位 V1JV1KV55
    电压 (V) 6.8~6.96.9~7.07.0~7.5

    储存及使用环境条件

    Item Symbol Unit Value
    使用温度 TOPR -30 ~ +65
    存储温度 TSTG -40 ~ +85
  • 光电参数图例
    • 上述测试数据源自BOB体育平台网站,视抽样情况的不同,实际曲线将会存在一定差别。
  • 回流焊接
    • 贴片应使用高温锡膏进行回流焊接,峰值温度不应大于260℃,峰值时间控制在10秒内,回流时间不大于5分钟。
    • 回流焊接不应超过一次;
    • 焊接深紫 LED 后不建议进行维修,当修复不可避免时,必须使用双头烙铁,谨慎操作的同时不能损坏产品本身;
    • 焊接时,请勿在加热过程中对深紫外 LED 施加压力;
    • 建议使用 7 温区以上的对流式回流焊机。
  • 包装规范
  • 标签说明

    标签 释义
    TYPE 品种名
    SPEC 规格号,见各项分档参数组合
    BIN No BIN号
    QTY 数量
    Date 日期
  • 可靠性测试
  • 测试项目 实验条件 标准 失效比例
    常规驱动 T=25℃,标定电流,持续点亮1000小时 死灯 0/35
    冷热冲击 -40-120℃冷热冲击500次循环,15min/cycle 死灯 0/35
  • 人体防护
    • 所有装配工人,观察员和旁观者必须进行眼睛和皮肤保护;
    • 禁止裸眼观察(包括通过显微镜)和在操作中裸露处理深紫外 LED;
    • 深紫外光线很容易被污染物吸收,切勿触摸深紫外灯珠的光学结构 ;
    • 本产品为湿敏性产品,建议存储温度18℃~30℃,湿度30%~60%,密封保存,为保证产品质量,外包装袋未打开的,建议出厂后一年内使用完;外包装袋打开的,建议于24小时内使用完,超过24小时需重新密封存放,下次使用前建议先采取除湿措施:温度:65℃ 时间:5H。