CBAS20M

深紫外LED芯片
  • 产品特性:UVB 波段、高光功率、可靠性高、寿命长、环保节能

  • 应用领域:医用光疗、光学传感器、生物分析/检测、植物生长

0820 mil

尺寸

295~315 nm

波长

3~10 mW

光功率

40 mA

电流

AuSn

电极

倒装

芯片结构

  • 产品照片
  • 器件结构
  • 芯片长度 芯片宽度 GAP宽度 芯片厚度 芯片结构 电极
    508±30 μm 200±30 μm 154±5 μm 280±30 μm 倒装 AuSn
  • 光电特征参数
  • UVC光电参数和SPEC范围(@40mA,Ta = 25 ℃,RH=30%)

    Item Symbol Min. Typ. Max. Unit
    峰值波长 λp 295 / 315 nm
    光功率 P0 3 / 10 mW
    工作电压 Vf 4.5 / 6.8 V
    驱动电流 If / 40 / mA
    最大工作电流 Ifmax / / 60 mA
    最大反向偏压 Ifmax / / 8 mA
    波峰半高宽 Δλ / 11 / nm
    • 上述规格范围以BOB综合体育官网登录入口测量系统为准。测量系统的测量误差为:峰值波长(λp):±1nm;光功率(P0):±10%;工作电压(Vf):±0.1V。
    • 虽然所有的LED都是由BOB综合体育官网登录入口的设备进行测试,但根据测试设备的条件,某些值可能会略有不同。

    波长范围

    档位 W31W32W33
    波长 (nm) 295~306306~310310~315

    光功率范围

    档位 P032P024P025
    光功率 (mW) 3~66~88~10

    电压范围

    档位 V1YV11V12V13V14
    电压 (V) 4.5~5.05.0~5.15.1~5.25.2~5.35.3~5.4
    档位 V15V16V17V52V02
    电压 (V) 5.4~5.55.5~5.65.6~5.75.7~6.06.0~6.8

    储存及使用环境条件

    Item Symbol Unit Value
    使用温度 TOPR -30 ~ +65
    存储温度 TSTG -40 ~ +85
  • 光电参数图例
    • 上述测试数据源自BOB体育平台网站,视抽样情况的不同,实际曲线将会存在一定差别。
  • 回流焊接
    • 本产品为金锡电极,推荐使用助焊剂固晶,采用上述条件做回流焊,最高温段不要高于325℃,时间不能超过10s。
  • 包装规范
  • 标签说明

    标签 释义
    TYPE 品种名
    SPEC 规格号,见各项分档参数组合
    BIN No BIN号
    QTY 数量
    Date 日期
  • 可靠性测试
  • 测试项目 实验条件 标准 失效比例
    常规驱动 T=25℃,标定电流,持续点亮1000小时 死灯 0/35
    冷热冲击 -40-120℃冷热冲击500次循环,15min/cycle 死灯 0/35
  • 人体防护
    • 所有装配工人,观察员和旁观者必须进行眼睛和皮肤保护;
    • 禁止裸眼观察(包括通过显微镜)和在操作中裸露处理深紫外 LED;
    • 深紫外光线很容易被污染物吸收,切勿触摸深紫外灯珠的光学结构 ;
    • 本产品为湿敏性产品,建议存储温度18℃~30℃,湿度30%~60%,密封保存,为保证产品质量,外包装袋未打开的,建议出厂后一年内使用完;外包装袋打开的,建议于24小时内使用完,超过24小时需重新密封存放,下次使用前建议先采取除湿措施:温度:65℃ 时间:5H。